三星电子计划投资 1.1 万亿韩元引进最新的 High-NA EUV 光刻机

10 月 15 日消息，《韩国经济日报》今日报道称，三星电子计划投入约 1.1 万亿韩元（注：现汇率约合 54.92 亿元人民币）引进两台最新的 High-NA 双级极紫外（EUV）光刻机。

据业内人士透露，三星电子此前仅在京畿道园区引进过一台用于研发的 High-NA EUV 设备，此次引进的机器将用于“产品量产”，尚属首次。三星电子计划在年内引进一台，并在明年上半年再引进一台。

Twin Scan EXE:5200B 是第二款 0.55 数值孔径（NA）或“High-NA”极紫外光刻系统，也是 TWINSCAN EXE:5000 的升级版，在提升对准精度的同时显著提高了生产效率，被视为生产下一代半导体芯片和高性能 DRAM 的必备设备。

相较于 NXE 系统，EXE:5200B 成像对比度提升 40%，分辨率达 8nm，使芯片制造商能够通过单次曝光实现比 TWINSCAN NXE 系统精细 1.7 倍的电路刻蚀，从而将晶体管密度提升至原来的 2.9 倍。这有助于降低大规模生产中的工艺复杂性，提高客户晶圆厂的晶圆产量。