良率提前达标：台积电 A14 工艺研发顺利，性能较 N2 提升 15%、功耗降低 30%，2028 年量产

9 月 25 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（9 月 24 日）发布博文，报道称台积电公布了其先进工艺路线图的最新进展，确认下一代 A14（1.4 纳米）工艺的研发进程顺利，其关键的良率表现甚至已经提前达到内部预期。

具体来看，A14 工艺相较于即将推出的 N2（2 纳米）工艺，实现了性能、功耗和密度的全面跃升。援引官方数据如下：

• 在功耗保持不变的情况下，A14 工艺的运行速度将提升 15%；

• 在速度相同时，功耗可降低高达 30%；

• 其晶体管密度也将提高 20%，使芯片能够在更小的空间内容纳更多功能单元。

这些显著的性能提升得益于底层技术的革新。台积电透露，A14 工艺将全面采用第二代 GAAFET（全环绕栅极）纳米片晶体管技术，并结合全新的 NanoFlex Pro 标准单元架构。

GAAFET 技术能够更有效地控制电流，减少漏电，从而在提升性能的同时控制功耗。而新的架构则进一步优化了芯片设计，实现了更高的集成度，共同驱动了 A14 工艺的突破。