闪存芯片的进化方向非常明确，那就是通过更多层地堆叠来实现更快的读写速度，同时提高单位面积的存储容量，降低存储成本。
在ISSCC 2023期间，35名SK海力士工程师联名提交了论文，详细阐述了他们是如何攻克300+堆叠的难关。
通过运用TPGM(三重验证编程)、AUSP(自适应未选串预给电)、PDS(被编程假字符串)、APR以及PLRR(平面级读取重试)等五项技术，他们实现了超过300层的TLC颗粒堆叠。
这颗1Tb容量的TLC 3D闪存(3bit/Cell)达到了惊人的20Gb/mm2容量密度，写入速度更是狂飙到194GB/s创纪录。
按计划，SK海力士的300+层TLC将在2024年量产商用。
文章来源：
快科技
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