打破国外高端存储技术垄断！华中大教授：未来将从根本解决国产芯片“卡脖子”问题

　　虽然目前的旗舰手机各项配置都很顶，但随着时间的推移，还是会有人吐槽自己手机开始卡顿。

　　据央视新闻报道，今日，全国人大代表、华中科技大学计算机学院教授冯丹表示，手机越用越慢、卡顿，一个重要原因是手机上的文字、图片、视频越存越多，导致存储访问变慢。

　　针对这一问题，他们团队研发的存储碎片整理技术，已应用在几款国产主流品牌手机上。

　　另外，她和团队致力于推进存储设备国产化，打破了国外对高端存储系统及其核心关键技术的垄断，国产存储系统在国内市场的份额已从立项前不足5%，发展到如今60%以上。

　　冯丹表示，如今构成存储系统的存储介质芯片仍是薄弱环节，她和团队已经与国内几家龙头企业建立联合实验室，正在研发速度更快、能耗更低的下一代存储器，未来将从根本解决国产芯片“卡脖子”问题。

　　据了解，去年10月，美国商务部发布对中国技术出口的新限制，主要针对DRAM芯片和NAND闪存芯片。

　　限制表明芯片制造商在采购生产设备时，若涉及到美国供应商，将受到严格审查，审查范围包括生产18nm或以下的DRAM芯片、128层或以上的NAND闪存芯片、14nm或以下的逻辑芯片。

　　这意味着中国存储芯片制造商的发展受阻，同时也表明中国存储产业正快速发展，国际地位已不可忽视。

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